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所以电工基础，低压电器及自动化控制技术基础也是学习PLC必备基础知识。计算机基础知识的，plc编程、软件、数据的存储器形式等都与计算机有关，所以计算机基础也是学习PLC必备基础知识。PLC应用中往往会涉及到一些这样，那样的计算，所有工控数学基础也是学习PLC必备基础知识。工业互联网、物联网与PLC应用越来越紧密，学习PLC必然会接触通信，弄懂通信自然少不了网络基础，所以网络基础也是学习PLC必备基础知识。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

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我有一篇关于“串励直流电机启动控制电路”的推文，引起广大同行的热烈讨论，有些同行一下不明白，因我曾经也有过这样经历，所以比较理解这种心情，在此我再详细的解说一下具体控制原理，与同行们再一起共同温故学习一番。关于控制部件就不一一细说了，主要说两个，一个是时间继电器也就是KT1.KT2，另一个是可变段位电阻R。下面重点来说说控制原理，合上断路器，KT1得电吸合，常闭触点断，它控制的KM2和KM3全部断电，这时电路电流只得无奈的爬上R1R2这两座大山。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。数组与指针的等价关系，了很多方便。但是缺点也是有的。首当其冲的就是数组之间不能直接赋值，哪怕是相同类型相同大小的数组之间。因为数组名是指针常量，哪有常量与常量赋值的道理？（提醒一下，数组名在个别时候并不代表数组首地址，而是代表整个数组，比如sizeof（数组名），这里就不能把数组名理解为指针常量了）。第二个缺点，那就是指针的操作无法检查溢出。你定义了一个指针指向一个数组，然后进行指针的运算，数组是有大小有界限的，可是指针无法判断是否超出了你定义的数组范围。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极。单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是K或A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。在大量使用功能块，而且功能块之间比较紧密的场合，使用CFC语言时选择，比如串口通信，运动控制，高速计数等等。而这些场合用梯形图，那酸爽，用过日系PLC的朋友应该很清楚，写了几个屏幕的程序，还没有进入主题。当然，也可以用ST语言来写，那样逼格简直就是没法形容了，不过对于后期维护很不方便，因为这么多变量，ST语言的可读性会很差，不过，对保护自己的知识产权，到是很不多。因为，要想看懂ST写的这种程序，确实很费劲。